松下電工は、2007年に従来品比で体積を43％に小型化した負荷電圧25VのPhotoMOSリレーに、負荷電圧40Vの低出力端子間容量タイプ（Cタイプ）と低オン抵抗タイプ（Rタイプ）を各1品種追加発売した。いずれの品種もRF（Radio Frequency）向けに入力側にLED、出力側のスイッチング素子にMOSFETを採用した高速開閉性能をもつ半導体リレーで、SON（Small Outline No-lead package）で提供される。

　出力端子間容量（C）×オン抵抗（R）の値が低いほど、信号の減衰や漏れが抑制され、微少信号をより忠実に伝達できる。25V品はC×R値が5で、40Vの新製品は10となっている。

　「PhotoMOSリレー RF 低C×R SONタイプ」は長さ2.2×幅2.95×高さ1.4mmの大きさで、平均特性はRタイプが負荷電流0.25A、オン抵抗0.8Ω、出力端子間容量14pF、動作時間0.2ms、復帰時間0.04ms、Cタイプが負荷電流0.12A、オン抵抗9.5Ω、出力端子間容量1.1pF、動作時間0.02ms、復帰時間0.02ms。松下電工は、半導体検査装置、プローブカードなど計測・検査機器、通信放送機器、医療機器向けなどにSONタイプを月間100万個の販売を目指している。